FQP33N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 33А [TO-220]
![FQP33N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 33А [TO-220]](https://static.epl-electro.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000616795
- Артикул
- FQP33N10
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2.5
- Корпус
- TO-220
- Структура
- N-Channel
- Пороговое напряжение на затворе
- 4V@250uA
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
FQP33N10 является силовым N-канальным МОП-транзистором QFET® 100В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения сопротивления в активном состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и высокого уровня энергетической силы лавинного процесса. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений. • Низкий заряд затвора • Лавинное тестирование 100% • Повышенная надежность системы в топологиях PFC и мягкой коммутации • Улучшение потерь коммутации • Lower conduction loss • 175°C maximum junction temperature rating
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | N-Channel |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 33 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 127 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.052 Ом/16.5А, 10В |