Моя заявка (0)

FQP32N20C, Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

FQP32N20C, Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002308303
Артикул
FQP32N20C
Бренд
ON Semiconductor***
Family
Transistors-FETs, MOSFETs-Single
Series
QFET®
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Packaging
Tube
Цена по запросу
(от 370 ₽)
Минимальный заказ: 130 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор полевой, МОП, n-канальный, 200В, 17,8А, 156Вт, TO220, Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

FamilyTransistors-FETs, MOSFETs-Single
SeriesQFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
PackagingTube
Вес, г1
FET FeatureStandard
Part StatusActive
Power - Max156W
Channel TypeN Channel
ManufacturerFairchild Semiconductor
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Standard Package50
Power Dissipation156Вт
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Gate Charge (Qg) @ Vgs110nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs82 mOhm @ 14A, 10V
Особенности-
Supplier Device PackageTO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2200pF @ 25V
Drain Source On State Resistance0.068Ом
Линейка ПродукцииQFET
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28A(Tc)
Непрерывный Ток Стока28А
Рассеиваемая Мощность156Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Крутизна характеристики, S20
Напряжение Истока-стока Vds200В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.068Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А28
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт156
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30В

Техническая документация