FQP19N20C, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 19А [TO-220] [EOL]
![FQP19N20C, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 19А [TO-220] [EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000089950
- Артикул
- FQP19N20C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2.5
- Корпус
- TO-220
- Структура
- N-Channel
- Пороговое напряжение на затворе
- 4V@250uA
Цена по запросу
(от 167 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 12,1А, 139Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | N-Channel |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 139 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.17 Ом/9.5А, 10В |