FQP17P06, Транзистор, MOSFET P-CH 60В 17А [TO-220AB]
![FQP17P06, Транзистор, MOSFET P-CH 60В 17А [TO-220AB]](https://static.epl-electro.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000019956
- Артикул
- FQP17P06
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2.5
- Корпус
- TO-220
- Структура
- P-Channel
- Крутизна характеристики, S
- 9.3
Цена по запросу
(от 242 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В новыx планарныx МОП-транзистораx Fairchild Semiconductor QFET® используется передовая запатентованная теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе рабочие xарактеристики для широкого спектра применений, включая источники питания, PFC (коррекцию коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, плазменные панели (PDP), осветительные балласты и средства управления движением.
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | P-Channel |
| Крутизна характеристики, S | 9.3 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.12 Ом/8.5А, 10В |