FQP17P06, MOSFETs 60V P-Channel QFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004834618
- Артикул
- FQP17P06
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Width
- 4.7mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- QFET
Цена по запросу
(от 220,44 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В новыx планарныx МОП-транзистораx Fairchild Semiconductor QFET® используется передовая запатентованная теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе рабочие xарактеристики для широкого спектра применений, включая источники питания, PFC (коррекцию коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, плазменные панели (PDP), осветительные балласты и средства управления движением.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 4.7mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | QFET |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 60 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 100 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | TO-220AB |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Product Width | 4.5mm |
| Configuration: | Single |
| Product Height | 9.2mm |
| Product Length | 9.9mm |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | FQP17P06_NL |
| Supplier Package | TO-220 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 27 nC |
| Typical Fall Time | 60ns |
| Typical Rise Time | 100ns |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| разрешение | Power MOSFET |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 79 W |
| Transistor Configuration | Single |
| конфигурация | Single |
| Maximum Power Dissipation | 79 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 13ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±25V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 22ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 9.3 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.12? |
| Maximum Continuous Drain Current | 17A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 120 mOhms |
| монтаж (установка) | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Крутизна характеристики, S | 9.3 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| максимальная рабочая температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25В |