FQP13N50C, Транзистор N-MOSFET 500В 13А 195Вт 0.48Ом [TO-220.] [EOL]
![FQP13N50C, Транзистор N-MOSFET 500В 13А 195Вт 0.48Ом [TO-220.] [EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/652/DOC001652292.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000251666
- Артикул
- FQP13N50C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2.5
- Корпус
- TO-220
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- High Cell Density Trench
Цена по запросу
(от 272 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
СИЛОВОЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, 13A I(D), 500 В, 0,48 ОМ, 1-ЭЛЕМЕНТНЫЙ, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЙ, МЕТАЛЛ-ОКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-220AB
Технические параметры
| Вес, г | 2.5 |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | High Cell Density Trench |
| Крутизна характеристики, S | 15 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 195 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.48 Ом/6.5А, 10В |