FQP12P20, Транзистор P-MOSFET 200В 11.5А 120Вт 0.47Ом [TO-220.] [EOL]
![FQP12P20, Транзистор P-MOSFET 200В 11.5А 120Вт 0.47Ом [TO-220.] [EOL]](https://static.epl-electro.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000160748
- Артикул
- FQP12P20
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2
- Корпус
- TO-220
- Структура
- P-Channel
- Особенности
- High Cell Density Trench
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, P, TO-220; Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: 11,5 А; Напряжение источника стока Vds: -200 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 0,36 Ом; Испытательное напряжение Rds (вкл.) Vgs: -10 В; Пороговое напряжение Vgs:-5 В; Рассеиваемая мощность Мощность: 120 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-220; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт: -; MSL:-; SVHC: Ведущий (27 июня 2018 г.); Альтернативный тип корпуса: SOT-78B; Энергия лавинного одиночного импульса: 810 МДж; Максимальный ток: -11,5 А; Текущая температура: 25°C; Номинальная температура при полной мощности: 25°C; Расстояние между выводами: 2,54 мм; Количество транзисторов: 1; Минимальная рабочая температура: -55°C; Диапазон рабочиx температур: -55°C до +150°C; Конфигурация контактов: a; Формат контактов: 1G, (2+Табуляция)D, 3S; Максимальная рассеиваемая мощность: 120 Вт; Импульсный ток Idm: 46 А; Напряжение Vds: 200 В; Тип напряжения Vds: -200 В; Напряжение Vgs Max: -30 В; Напряжение Vgs Rds при измерении: -10 В
Технические параметры
| Вес, г | 2 |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | High Cell Density Trench |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 120 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.47 Ом/5.75А, 10В |