FQP11N40C, MOSFETs 400V N-Channel Advance Q-FET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004834605
- Артикул
- FQP11N40C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.7mm
- Series
- QFET
- Вид
- N-MOSFET
- Тип
- полевой
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой FQP11N40C от компании ONSEMI - это высоковольтный N-MOSFET, предназначенный для монтажа в отверстия печатных плат (THT). Устройство способно обеспечить ток стока до 10,5 А и работает при напряжении сток-исток до 400 В, что делает его подходящим для широкого спектра применений, требующих высокой мощности. Максимальная мощность транзистора составляет 135 Вт. Корпус TO220AB обеспечивает надежную теплоотдачу и долговечность компонента. Покупая FQP11N40C, вы получаете надежный компонент для эффективных и долгосрочных решений в области электроники. Используйте код FQP11N40C для поиска дополнительных технических характеристик и схем подключения. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 10.5 Напряжение сток-исток, В 400 Мощность, Вт 135 Корпус TO220AB
Технические параметры
| Width | 4.7mm |
| Series | QFET |
| Вид | N-MOSFET |
| Тип | полевой |
| Pin Count | 3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220AB |
| Вес, кг | 1.06 |
| Монтаж | THT |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Width | 4.5mm |
| Product Height | 9.2mm |
| Product Length | 9.9mm |
| Supplier Package | TO-220 |
| Typical Fall Time | 81ns |
| Typical Rise Time | 89ns |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| разрешение | Power MOSFET |
| Ток стока, А | 10.5 |
| Мощность, Вт | 135 |
| Особенности | мощный полевой |
| Transistor Configuration | Single |
| конфигурация | Single |
| Maximum Power Dissipation | 135 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 14ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 81ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 400V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.53? |
| Maximum Continuous Drain Current | 10.5A |
| монтаж (установка) | Through Hole |
| Напряжение сток-исток, В | 400 |
| Крутизна характеристики, S | 7.1 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| максимальная рабочая температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 135 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30В |