FQD5P20TM, Транзистор P-MOSFET, полевой, -200В, -2,34А, 45Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017541030
- Артикул
- FQD5P20TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- DPAK
- Type
- Power MOSFET
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
Цена по запросу
(от 123,82 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, P CH, -200 В, -3,7А, TO-252-3; Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: -3,7 А; Напряжение источника стока Vds: -200 В; Сопротивление включения Rds(вкл.): 1,1 Ом; Испытательное напряжение Rds (вкл.) Vgs: -10 В; Пороговое напряжение Vgs: -3 В; Рассеиваемая мощность Pd: 45 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-252; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - Неограниченный; SVHC: Свинцовый (27-Июнь-2018); Минимальная рабочая температура: -55°C
Технические параметры
| Case | DPAK |
| Type | Power MOSFET |
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | P |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Fall Time: | 25 ns |
| Rise Time: | 70 ns |
| Technology | QFET® |
| Вес, г | 0.48 |
| Gate charge | 13nC |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | DPAK |
| Polarisation | unipolar |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -2.34A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | FQD5P20TM_NL |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power Dissipation | 2.5(W) |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13 nC |
| Number of Elements | 1 |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 1.4Ω |
| Drain-Source On-Volt | 200(V) |
| Drain-source voltage | -200V |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W;45W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Continuous Drain Current | 3.7(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±30(V) |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 13nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 430pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.7A |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.2 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.4 Ohms |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.34 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.4Ω@10V, 1.85A |