FQD5N60CTM_WS, MOSFET 600V, N Channel MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038865847
- Артикул
- FQD5N60CTM_WS
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 335 ₽)
Минимальный заказ: 228 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 600 В, N-канальный МОП-транзистор
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Type | N |
| Package Width | 6.1 mm |
| Package Length | 6.54 mm |
| Supplier Package | DPAK |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-252 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Особенности | высоковольтный |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 600 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 2500@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |