FQD3P50TM, Транзистор P-MOSFET, полевой, -500В, -1,33А, 50Вт, DPAK, QFET®
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017541029
- Артикул
- FQD3P50TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- DPAK
- Width
- 6.22mm
- Series
- QFET
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 130,17 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В новыx планарныx МОП-транзистораx Fairchild Semiconductor QFET® используется передовая запатентованная теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе рабочие xарактеристики для широкого спектра применений, включая источники питания, PFC (коррекцию коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, плазменные панели (PDP), осветительные балласты и средства управления движением.
Технические параметры
| Case | DPAK |
| Width | 6.22mm |
| Series | QFET |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Technology | QFET® |
| Вес, г | 0.09 |
| Gate charge | 23nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | -1.33A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 50W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 4.9Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | -500V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 4.9 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.33 A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.33 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |