Моя заявка (0)
FQD30N06TM, MOSFETs 60V 22.7A N-CHANNEL QFET MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004834578
Артикул
FQD30N06TM
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi/Fairchild
Series:
FQD30N06
Fall Time:
40 ns
Rise Time:
85 ns
Цена по запросу
(от 133,51 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Brand:onsemi/Fairchild
Series:FQD30N06
Fall Time:40 ns
Rise Time:85 ns
Вес, г0.33
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DPAK-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:25 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:35 ns
Id - Continuous Drain Current:22.7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:45 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А22.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация