FQD2P40TM, MOSFETs P-Channel QFET MOSFET -400V, -1.56A, 6.5 Ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004834577
- Артикул
- FQD2P40TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- P Channel
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Fall Time:
- 25 ns
- Rise Time:
- 33 ns
Цена по запросу
(от 125,97 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием onsemi Cloud Power Management повышают эффективность при одновременном упрощении проектирования системы, сокращении места на плате, повышении надежности и ускорении вывода на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии ежедневно потребляемой энергии.
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Fall Time: | 25 ns |
| Rise Time: | 33 ns |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 13 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W;38W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 13nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 350pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.56A |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.56 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 400 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.56 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6.5 Ом |