FQD2N90TM, MOSFETs 900V N-Channel QFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004584662
- Артикул
- FQD2N90TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Fall Time:
- 30 ns
- Rise Time:
- 35 ns
Цена по запросу
(от 167,32 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием onsemi Cloud Power Management повышают эффективность при одновременном упрощении проектирования системы, сокращении места на плате, повышении надежности и ускорении вывода на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии ежедневно потребляемой энергии.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Fall Time: | 30 ns |
| Rise Time: | 35 ns |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W;50W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 15nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 500pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.7A |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.7 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.2 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 900 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -8 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |