FQD2N60CTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 1,14А, 44Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017541028
- Артикул
- FQD2N60CTM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.66
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- -
Цена по запросу
(от 101,56 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 1,14А, 44Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.66 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.14 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 44 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.3Ω |