FQD2N60CTM, Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002306741
- Артикул
- FQD2N60CTM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 1
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- высоковольтный
Цена по запросу
(от 62 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 1,14А, 44Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |