FQD2N100TM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 1кВ, 1А, 50Вт, DPAK, QFET®
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041296979
- Артикул
- FQD2N100TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.4
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- -
- Пороговое напряжение на затворе
- -
Цена по запросу
(от 117,64 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.4 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |