FQD1N80TM, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 0,63А, 45Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062688886
- Артикул
- FQD1N80TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 6.22 mm
Цена по запросу
(от 151,62 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 0,63А, 45Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 6.22 mm |
| Height | 2.39 mm |
| Length | 6.73 mm |
| Series | FQD1N80 |
| Fall Time | 25 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 25 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1.5 |
| Unit Weight | 0.009184 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Part # Aliases | FQD1N80TM_NL |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 0.75 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 20 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |