Моя заявка (0)

FQD19N10LTM, Транзистор N-MOSFET 100В 15.6А 50Вт 0.11Ом [TO-252 / DPAK.]

FQD19N10LTM, Транзистор N-MOSFET 100В 15.6А 50Вт 0.11Ом [TO-252 / DPAK.]

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
9001634713
Артикул
FQD19N10LTM
Бренд
Youtai Semiconductor (UMW)
Вес, г
0.45
Корпус
DPAK
Структура
N-Channel
Крутизна характеристики, S
14
Цена по запросу
(от 14,30 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.45
КорпусDPAK
СтруктураN-Channel
Крутизна характеристики, S14
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)110 мОм/7.8А, 5В

Техническая документация