FQD19N10LTM, Транзистор N-MOSFET 100В 15.6А 50Вт 0.11Ом [TO-252 / DPAK.]
![FQD19N10LTM, Транзистор N-MOSFET 100В 15.6А 50Вт 0.11Ом [TO-252 / DPAK.]](https://static.epl-electro.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000316752
- Артикул
- FQD19N10LTM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.4
- Корпус
- DPAK(2 Leads+Tab)
- Структура
- N-Channel
- Крутизна характеристики, S
- 14
Цена по запросу
(от 60,40 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В новыx планарныx МОП-транзистораx Fairchild Semiconductor QFET® используется передовая запатентованная теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе рабочие xарактеристики для широкого спектра применений, включая источники питания, PFC (коррекцию коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, плазменные панели (PDP), осветительные балласты и средства управления движением.
Технические параметры
| Вес, г | 0.4 |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) |
| Структура | N-Channel |
| Крутизна характеристики, S | 14 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/7.8А, 10В |