FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -7,6А, 44Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017541024
- Артикул
- FQD17P06TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- DPAK
- Width
- 6.22mm
- Mounting
- SMD
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 157 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -7,6А, 44Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | DPAK |
| Width | 6.22mm |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Technology | QFET® |
| Вес, г | 0.43 |
| Gate charge | 27nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | -7.6A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Width | 6.1mm |
| Product Height | 2.3mm |
| Product Length | 6.6mm |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Supplier Package | DPAK |
| Power dissipation | 44W |
| Typical Fall Time | 60ns |
| Typical Rise Time | 100ns |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±25V |
| On-state resistance | 135mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | -60V |
| разрешение | Power MOSFET |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| конфигурация | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 13ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ±25V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 22ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.135? |
| Maximum Continuous Drain Current | 12A |
| монтаж (установка) | Surface Mount |
| Крутизна характеристики, S | 8.7 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| максимальная рабочая температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 44 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 44 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25В |