FQD16N25CTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 250В, 10,1А, 160Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017541023
- Артикул
- FQD16N25CTM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- 1PCSNChannel
- Вес, г
- 0.48
- Структура
- MOSFET
- Power Dissipation (Pd)
- 160W
Цена по запросу
(от 138,12 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 0.48 |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 160W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 53.5nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.08nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 16A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 250 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 160 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 270mΩ@10V, 8A |