Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025170376
Артикул
FQD13N10TM-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.38
Корпус
to252
Структура
MOSFET
Особенности
-
Цена по запросу
(от 87 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.38
Корпусto252
СтруктураMOSFET
Особенности-
Continuous Drain Current (Id)18A
Пороговое напряжение на затворе2.5V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт96
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В