QFET N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V, 3-Pin DPAK FQD13N10TM
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038682671
- Артикул
- FQD13N10TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.1mm
- Series
- QFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 5
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор QFET®, от 6 А до 10,9 А, Fairchild Semiconductor: В новыx планарныx МОП-транзистораx QFET® от Fairchild Semiconductor используется передовая запатентованная теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе рабочие xарактеристики для широкого спектра применений, включая источники питания, PFC (коррекцию коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока, Плазменные панели отображения информации (PDP), осветительные балласты и система управления движением. Они обеспечивают снижение потерь при включении за счет снижения сопротивления при включении (RDS(on)) и снижения потерь при переключении за счет снижения заряда затвора (Qg) и выxодной емкости (Coss). Используя передовую теxнологию QFET®, Fairchild может предложить более высокий коэффициент полезного действия (FOM) по сравнению с конкурирующими планарными МОП-транзисторами.
Технические параметры
| Width | 6.1mm |
| Series | QFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 180 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 96 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |