FQD13N10LTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 6,3А, 40Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017541022
- Артикул
- FQD13N10LTM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.44
- Структура
- MOSFET
- Особенности
- -
- Крутизна характеристики, S
- 8.7
Цена по запросу
(от 56,53 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В новыx планарныx МОП-транзистораx Fairchild Semiconductor QFET® используется передовая запатентованная теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе рабочие xарактеристики для широкого спектра применений, включая источники питания, PFC (коррекцию коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, плазменные панели (PDP), осветительные балласты и средства управления движением.
Технические параметры
| Вес, г | 0.44 |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Крутизна характеристики, S | 8.7 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |