FQD13N06LTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 7А, 28Вт, DPAK, QFET®
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002584149
- Артикул
- FQD13N06LTM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- N Channel
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FQD13N06L
Цена по запросу
(от 112,67 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FQD13N06L |
| Fall Time: | 40 ns |
| Rise Time: | 90 ns |
| Вес, г | 0.26 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Part # Aliases: | FQD13N06LTM_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.8 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5W;28W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.4nC@5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 350pF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 11A |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 115 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Крутизна характеристики, S | 6 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 28 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 115mΩ@10V, 5.5A |