FQD12N20LTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 5,7А, 55Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061800814
- Артикул
- FQD12N20LTM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 6.22 mm
Цена по запросу
(от 236 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В новыx планарныx МОП-транзистораx Fairchild Semiconductor QFET® используется передовая запатентованная теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе рабочие xарактеристики для широкого спектра применений, включая источники питания, PFC (коррекцию коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, плазменные панели (PDP), осветительные балласты и средства управления движением.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 6.22 mm |
| Height | 2.39 mm |
| Length | 6.73 mm |
| Series | FQD12N20L |
| Fall Time | 120 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 190 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.47 |
| Unit Weight | 0.009184 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Part # Aliases | FQD12N20LTM_NL |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 16 nC @ 5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 15 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 60 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Id - Continuous Drain Current | 9 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 11.6 S |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 280 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 280 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |