FQD11P06TM, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -5,95А, 38Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8020011281
- Артикул
- FQD11P06TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 6.1mm
- RDS-on
- 185@10V mOhm
- Mounting
- Surface Mount
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 89,35 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -5,95А, 38Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 6.1mm |
| RDS-on | 185@10V mOhm |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.51 |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Typical Fall Time | 45 ns |
| Typical Rise Time | 40 ns |
| Структура | MOSFET |
| Max Processing Temp | 260 |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 6.5 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 185 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.4 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 38 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.95 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |