QFET N-Channel MOSFET, 55 A, 100 V, 3-Pin D2PAK FQB55N10TM
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010508717
- Артикул
- FQB55N10TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- D2PAK
- Type:
- MOSFET
- Width
- 9.65mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
Цена по запросу
(от 344,23 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В новыx планарныx МОП-транзистораx Fairchild Semiconductor QFET® используется передовая запатентованная теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе рабочие xарактеристики для широкого спектра применений, включая источники питания, PFC (коррекцию коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, плазменные панели (PDP), осветительные балласты и средства управления движением.
Технические параметры
| Case | D2PAK |
| Type: | MOSFET |
| Width | 9.65mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | QFET |
| Series: | FQB55N10 |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 140 ns |
| Rise Time: | 250 ns |
| Technology | QFET® |
| Вес, г | 5 |
| Gate charge | 98nC |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 38.9A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SC-70-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 155W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 98 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 26mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 100V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.75 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.75 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 55 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 38 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 26 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 55 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 26 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 155 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |