FQB55N10, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8446874624
- Артикул
- FQB55N10
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 2.27
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- TO-263
- Power Dissipation
- 155Вт
Цена по запросу
(от 389 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
• проверено на 100% лавиноопасность • Типичный низкий заряд затвора 75 Нс • Типичный низкий Crss 130 Пф
Технические параметры
| Вес, г | 2.27 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | TO-263 |
| Power Dissipation | 155Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.026Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 55А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 55 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.026 Ом |