FQB44N10TM,Power MOSFET, N Channel, 100 V, 43.5 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003116325
- Артикул
- FQB44N10TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Fall Time:
- 100 ns
- Rise Time:
- 190 ns
Цена по запросу
(от 415 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием onsemi Cloud Power Management повышают эффективность при одновременном упрощении проектирования системы, сокращении места на плате, повышении надежности и ускорении вывода на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии ежедневно потребляемой энергии.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Fall Time: | 100 ns |
| Rise Time: | 190 ns |
| Вес, г | 0.4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | FQB44N10TM_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 62 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 3.75 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 90 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 43.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 30 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 39 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 43.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.75 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 39mΩ@10V, 21.75A |