FQB34P10TM, Транзистор P-MOSFET, полевой, -100В, -23,5А, 155Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8060777171
- Артикул
- FQB34P10TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 3
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- P
Цена по запросу
(от 400,22 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, P-CH, -100 В, -33,5 А, TO-263AB-2; Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: -33,5 А; Напряжение источника стока Vds: -100 В; Сопротивление Rds(вкл.): 0,049 Ом; Тестовое напряжение Rds (вкл.): -10 В; Пороговое напряжение
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Монтаж | SMD |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Мощность | 155Вт |
| Ток стока | -23.5А |
| Transistor Material | Si |
| Полярность | полевой |
| Технология | QFET® |
| Вид упаковки | бобина, лента |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.75 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Заряд затвора | 110нC |
| Производитель | ON SEMICONDUCTOR(FAIRCHILD) |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Тип транзистора | P-MOSFET |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 60 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 33 A |
| Напряжение сток-исток | -100В |
| Напряжение затвор-исток | ±25В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 60мОм |