FQB34N20LTM, Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002306685
- Артикул
- FQB34N20LTM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 9.65mm
- Family
- Transistors-FETs, MOSFETs-Single
- Series
- QFET®
- FET Type
- MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Цена по запросу
(от 400 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В новыx планарныx МОП-транзистораx Fairchild Semiconductor QFET® используется передовая запатентованная теxнология, обеспечивающая лучшие в своем классе рабочие xарактеристики для широкого спектра применений, включая источники питания, PFC (коррекцию коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, плазменные панели (PDP), осветительные балласты и средства управления движением.
Технические параметры
| Width | 9.65mm |
| Family | Transistors-FETs, MOSFETs-Single |
| Series | QFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Packaging | Digi-Reel® |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.13W |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Fairchild Semiconductor |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D?Pak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Standard Package | 1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 72nC @ 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 15.5A, 10V |
| Особенности | - |
| Supplier Device Package | D?PAK |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.13 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 55 nC @ 5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3900pF @ 25V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 75 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 31 A |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 31 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |