Моя заявка (0)

FQB27P06TM, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -19,1А, 120Вт, D2PAK, QFET®

FQB27P06TM, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -19,1А, 120Вт, D2PAK, QFET®

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030835546
Артикул
FQB27P06TM
Бренд
ON Semiconductor***
Type
1PCSPChannel
Вес, г
2.06
Структура
MOSFET
Особенности
-
Цена по запросу
(от 230,85 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

60 В 27 А 55 Мом при 10 В, 13,5 А 4 В при 250 мкА 1-канальные МОП-транзисторы D2PAK(TO-263) ROHS

Технические параметры

Type1PCSPChannel
Вес, г2.06
СтруктураMOSFET
Особенности-
Continuous Drain Current (Id)35A
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А19.1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)-

Техническая документация