FQB22P10TM, Транзистор P-MOSFET, полевой, -100В, -15,6А, 125Вт, D2PAK, QFET®
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8051589479
- Артикул
- FQB22P10TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- D2PAK
- Mounting
- SMD
- Pin Count
- 3
- Technology
- QFET®
Цена по запросу
(от 186,81 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильный P-канальный MOSFET, Fairchild Semiconductor: Компания Fairchild Semiconductor предлагает решения, которые решают сложные задачи на автомобильном рынке с полным соблюдением стандартов качества, безопасности и надежности.
Технические параметры
| Case | D2PAK |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Technology | QFET® |
| Вес, г | 3 |
| Gate charge | 50nC |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | -15.6A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 125W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 0.125Ω |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | -100V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.75 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 125 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 22 A |