FQB19N20LTM, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 13,3А, 140Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048283369
- Артикул
- FQB19N20LTM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor/Fairchild
- Width
- 9.65 mm
Цена по запросу
(от 258,29 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 13,3А, 140Вт, D2PAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Width | 9.65 mm |
| Height | 4.83 mm |
| Length | 10.67 mm |
| Series | FQB19N20L |
| Fall Time | 180 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 300 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 3 |
| Unit Weight | 0.046296 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-263-3 |
| Part # Aliases | FQB19N20LTM_NL |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 800 |
| Pd - Power Dissipation | 3.13 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 35 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 130 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 21 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 18.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 140 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |