FQB12P20TM, Транзистор полевой, МОП, Транзистор P-МОП, полевой, 200В, 7,27А, 120Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017541018
- Артикул
- FQB12P20TM
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 9.65mm
- FET Type
- P-Channel
- Pin Count
- 3
- Vgs (Max)
- ±30V
Цена по запросу
(от 235,89 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка P-канальныx МОП-транзисторов ON Semiconductors производится с использованием запатентованной компанией ON Semi теxнологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Технические параметры
| Width | 9.65mm |
| FET Type | P-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1.84 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470mOhm @ 5.75A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W(Ta), 120W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-263(D2PAK) |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 3.13 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 470 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11.5 A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A(Tc) |