FQAF11N90C, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 4,4А, 120Вт, TO3PF, QFET®
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062460072
- Артикул
- FQAF11N90C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Цена по запросу
(от 578 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 5.56 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Configuration | Single |
| Package Width | 5.7(Max) |
| Package Length | 15.7(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-3PF |
| Maximum IDSS (uA) | 10 |
| Power Dissipation | 120Вт |
| Process Technology | DMOS |
| Standard Package Name | TO |
| Typical Fall Time (ns) | 85 |
| Typical Rise Time (ns) | 130 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 120000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 60 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 60@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 60 |
| кол-во в упаковке | 30 |
| Drain Source On State Resistance | 0.91Ом |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 900 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 130 |
| Линейка Продукции | QFET |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 7 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2530@25V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1100@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Непрерывный Ток Стока | 7А |
| Рассеиваемая Мощность | 120Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 900В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PF |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.91Ом |