FQA8N100C, MOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004673992
- Артикул
- FQA8N100C
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Width
- 5mm
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series
- QFET
Цена по запросу
(от 682 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием onsemi Cloud Power Management повышают эффективность при одновременном упрощении проектирования системы, сокращении места на плате, повышении надежности и ускорении вывода на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии ежедневно потребляемой энергии.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 5mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series | QFET |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 80 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 95 ns |
| Вес, г | 5 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-3PN |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-3PN-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 70 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 450 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 225 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 225 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 122 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.45 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.45 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 225 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |