FQA140N10, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062951329
- Артикул
- FQA140N10
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- TO3PN
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- Series:
- FQA140N10
Цена по запросу
(от 809,86 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Облачные решения для управления питанием Облачные решения onsemi для управления питанием повышают эффективность, упрощая проектирование системы, сокращая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию возрастет на 35-40%, onsemi обеспечивает высокую эффективность основныx промышленныx продуктов для экономии энергии, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Case | TO3PN |
| Type: | MOSFET |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Series: | FQA140N10 |
| Mounting | THT |
| Fall Time: | 360 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 940 ns |
| Tradename: | QFET |
| Вес, г | 6 |
| Gate charge | 285nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 99A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-3PN-3 |
| Part # Aliases: | FQA140N10_NL |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 375W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 285 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 10mΩ |
| Drain-source voltage | 100V |
| Pulsed drain current | 560A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 75 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 350 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 140 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 80 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |