FQA11N90C-F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN]
![FQA11N90C-F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN]](https://static.epl-electro.ru/lib/426/DOC005426403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000229095
- Артикул
- FQA11N90C-F109
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 6.5
- Корпус
- TO-3PN
- Структура
- N-Channel
- Пороговое напряжение на затворе
- 4V@250uA
Цена по запросу
(от 1 198 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 6,9А, 300Вт, TO3PN, QFET® Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 6.5 |
| Корпус | TO-3PN |
| Структура | N-Channel |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.1 Ом/5.5А, 10В |