InfIneon FP35R12W2T4B11BOMA1 3 Phase BrIdge IGBT Module, 54 A 1200 V, 35-PIn EASY2B, PCB Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063907905
- Артикул
- FP35R12W2T4B11BOMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Pin Count
- 35
- Packaging:
- Tray
Цена по запросу
(от 9 090 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейка IGBT-модулей Infineon обеспечивает низкие потери при переключении на частотаx до 60 кГц. IGBT-модули включают в себя целый ряд силовыx модулей, такиx как пакеты ECONOPACK с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, полумостовые прерывающие модули PrimePACK IGBT с NTC до 1600/1700 В.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Pin Count | 35 |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 7 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N |
| Package Type | EASY2B |
| Subcategory: | IGBTs |
| Configuration | 3 Phase Bridge |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | PCB Mount |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | 3-Phase Inverter |
| Part # Aliases: | SP000413970 FP35R12W2T4B11BOMA1 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 15 |
| Pd - Power Dissipation: | 215 W |
| Transistor Configuration | 3 Phase |
| Maximum Power Dissipation | 215 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Maximum Continuous Collector Current | 54 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 54 A |