InfIneon FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064054596
- Артикул
- FP25R12W2T4B11BOMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 7
- Number of Transistors
- 7
- Maximum Power Dissipation
- 175 W
- Maximum Gate Emitter Voltage
- +/-20V
Цена по запросу
(от 7 710 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В IGBT-модуле infineon максимальный номинальный повторяющийся пиковый ток коллектора составляет 50 А, а максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер - 2.
Технические параметры
| Вес, г | 7 |
| Number of Transistors | 7 |
| Maximum Power Dissipation | 175 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 39 A |