FP15R12W1T4B3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Urmax: 1,2кВ
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062727135
- Артикул
- FP15R12W1T4B3
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Product:
- IGBT Silicon Modules
- Packaging:
- Tray
- Вес, г
- 22.42
Цена по запросу
(от 11 500 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Packaging: | Tray |
| Вес, г | 22.42 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | 3-Phase Inverter |
| Part # Aliases: | SP000255356 FP15R12W1T4B3BOMA1 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 24 |
| Pd - Power Dissipation: | 130 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 28 A |