Моя заявка (0)
FP10R12W1T7B11BOMA1, IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 175 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000916311
Артикул
FP10R12W1T7B11BOMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.356
Серия:
Trenchstop IGBT7
Channel Type
N
Package Type
EASY1B
Цена по запросу
(от 6 250 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

FP10R12W1T7_B11, SP001655200

Технические параметры

Вес, г0.356
Серия:Trenchstop IGBT7
Channel TypeN
Package TypeEASY1B
Продукт:IGBT Silicon Modules
Упаковка:Tray
Number of Transistors7
Выводы БТИЗPress Fit
Технология:Si
Вид монтажа:Screw Mount
Тип продукта:IGBT Modules
Maximum Power Dissipation20 mW
Конфигурация:PIM
Подкатегория:IGBTs
Производитель:Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage20V
Торговая марка:Infineon Technologies
Упаковка / блок:AG-EASY1B-2
Collector Emitter Voltage Max1.2кВ
Технология БТИЗIGBT 7(Trench/Field Stop)
Maximum Collector Emitter Voltage1200 V
Конфигурация БТИЗPIM Three Phase Input Rectifier
Линейка ПродукцииEasyPIM
Монтаж транзистораPanel
Maximum Continuous Collector Current10 A
Другие названия товара №:FP10R12W1T7_B11 SP001655200
Стиль Корпуса ТранзистораModule
Ток утечки затвор-эмиттер:100 nA
Размер фабричной упаковки:24
Напряжение Коллектор-Эмиттер1.2кВ
Минимальная рабочая температура:- 40 C
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальная рабочая температура:+ 175 C
Максимальная Температура Перехода Tj175°C
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:10 A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:1.6 V

Техническая документация