Моя заявка (0)
FMY1AT148, Транзистор: NPN / PNP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014890172
Артикул
FMY1AT148
Бренд
Rohm
Brand
ROHM Semiconductor
Width
1.6 mm
Height
1.1 mm
Length
2.9 mm
Цена по запросу
(от 16 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN/PNP 50V 150MA SMT5

Технические параметры

BrandROHM Semiconductor
Width1.6 mm
Height1.1 mm
Length2.9 mm
SeriesFMY1
PackagingCut Tape or Reel
Вес, г0.04
Длина2.9 mm
СерияFMY1
SubcategoryTransistors
ManufacturerROHM Semiconductor
Product TypeBJTs - Bipolar Transistors
Высота1.1 mm
Ширина1.6 mm
ConfigurationDual
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-25-5
Part # AliasesFMY1A
Product CategoryBipolar Transistors - BJT
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity3000
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation300 mW
DC Current Gain HFE Max560
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияDual
ПодкатегорияTransistors
Gain Bandwidth Product FT140 MHz, 180 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO- 6 V, 7 V
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-25-5
Collector- Base Voltage VCBO60 V
Continuous Collector Current150 mA
Maximum DC Collector Current0.15 A
Maximum Operating Temperature+ 150 C
Minimum Operating Temperature- 55 C
DC Collector/Base Gain Hfe Min120
Collector- Emitter Voltage VCEO Max50 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN, PNP
Pd - рассеивание мощности300 mW
Другие названия товара №FMY1A
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V, 7 V
Непрерывный коллекторный ток150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.15 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.560
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)140 MHz, 180 MHz

Техническая документация