Моя заявка (0)

FMMTL717TA, 12V 500mW 300@100mA,2V 1.25A PNP SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

FMMTL717TA, 12V 500mW 300@100mA,2V 1.25A PNP SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062489226
Артикул
FMMTL717TA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.04
Длина
3.05 mm
Серия
FMMTL
Высота
1 mm
Цена по запросу
(от 76,85 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Medium Power

Технические параметры

Вес, г0.04
Длина3.05 mm
СерияFMMTL
Высота1 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.4 mm
Transistor TypePNP
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)1.25A
Power Dissipation (Pd)500mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)205MHz
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)300@100mA, 2V
Collector Cut-Off Current (Icbo)10nA
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)12V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@1.5A, 50mA
Непрерывный коллекторный ток1.25 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)12 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.12 V
Максимальный постоянный ток коллектора1.25 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)205 MHz