Моя заявка (0)

FMMTL618TA, 10nA 20V 500mW 100@3A,2V 1.25A 195MHz 260mV@2A,200mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT

FMMTL618TA, 10nA 20V 500mW 100@3A,2V 1.25A 195MHz 260mV@2A,200mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070186231
Артикул
FMMTL618TA
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.04
Длина
3.05 mm
Серия
FMMTL
Высота
1 mm
Цена по запросу
(от 66,43 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Low Saturation

Технические параметры

Вес, г0.04
Длина3.05 mm
СерияFMMTL
Высота1 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.4 mm
Power Dissipation500мВт
Структураnpn
Вид монтажаSMD/SMT
DC Current Gain hFE Min100hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Квалификация-
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокSOT-23-3
Continuous Collector Current1.25А
Collector Emitter Voltage Max20В
DC Усиление Тока hFE100hFE
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft195МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток1.25 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.20 V
Максимальный постоянный ток коллектора1.25 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер260 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.440 at 200 mA at 2 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50 at 3 A at 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)195 MHz

Техническая документация