Моя заявка (0)
FMMTA42TA, Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004841695
Артикул
FMMTA42TA
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
FMMTA
Вес, г
0.01
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 21,49 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор биполярный FMMTA42TA от DIODES INCORPORATED — надежный элемент для современных электронных схем. Этот NPN транзистор выполнен в компактном SMD-корпусе SOT23, обеспечивающем простоту монтажа на печатную плату. С током коллектора в 0,2 А и напряжением коллектор-эмиттер до 300 В, он идеально подходит для работы в высоковольтных устройствах. Мощность устройства составляет 0,33 Вт, что делает его эффективным выбором для различных применений. Используйте FMMTA42TA для надежной и долговечной работы ваших электронных проектов. Код товара FMMTA42TA станет вашим ключом к качественной электронике. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.2 Напряжение коллектор-эмиттер, В 300 Мощность, Вт 0.33 Корпус SOT23

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:FMMTA
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Pd - Power Dissipation:310 mW
DC Current Gain hFE Max:25 at 1 mA, 10 V
Gain Bandwidth Product fT:50 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:7 V
Collector- Base Voltage VCBO:300 V
Continuous Collector Current:200 mA
Maximum DC Collector Current:200 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:25
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:500 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация