FMMT718TA, Bipolar Transistors - BJT PNP SuperSOT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004841689
- Артикул
- FMMT718TA
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- PNP
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- FMMT718
- Mounting
- Surface Mount
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный FMMT718TA от производителя DIODES INCORPORATED представляет собой высококачественный компонент в категории полупроводниковых изделий. Этот PNP транзистор ориентирован на монтаж SMD, что гарантирует удобство при использовании в современном поверхностном монтаже на печатные платы. Благодаря току коллектора 2,5 А и мощности 0,625 Вт, он идеально подходит для широкого спектра электронных применений. Корпус транзистора выполнен в формате SOT23-3, что обеспечивает его компактность и надежность при эксплуатации. Используя FMMT718TA в своих проектах, вы получаете надежный компонент от известного производителя. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP Монтаж SMD Ток коллектора, А 2.5 Мощность, Вт 0.625 Корпус SOT23-3
Технические параметры
| Type | PNP |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | FMMT718 |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Technology: | Si |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23 |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | pnp |
| Max Processing Temp | 260 |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Minimum DC Current Gain | 300 |
| Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 300 at 10 mA, 2 V |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 625 mW |
| Gain Bandwidth Product fT: | 180 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Maximum Operating Frequency | 180 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | -1.5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 20 V |
| Continuous Collector Current: | -1.5 A |
| Maximum DC Collector Current: | 1.5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -20 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 145 mV |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1@50mA@1.5A V |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.04@10mA@0.1AI0.2@20mA@1AI0.22@50mA@1.5A V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.625 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 300 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 180 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 20 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 20 |